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美国诺格公司完成1M比特EEPROM非易失性存储器抗辐照认证测试
2015-04-02
    [据军用嵌入式网站2015年3月25日报道]  美国诺格公司的工程师完成了对其研制生产的1M比特电可擦除只读存储器(EEPROM)W28C0108进行了抗辐照宇航应用资格测试。
    该器件特征包括:宇航环境中的闩锁免疫功能、读取时间小于250纳秒、读取循环次数超过1万次、抗总剂量辐射300krad(Si)、符合联合电子器件工程委员会(JEDEC)规定的32管脚。该器件是1M比特(128k×8比特)互补金属氧化物半导体(CMOS)EEPROM,以公司现有256kB EEPROM器件W28C256为基础,能够在整个军用温度范围内运行。
    测试结果表明,在125摄氏度可存储数据超过200年,此指标据公司官员表示远超过现在最先进的非易失性存储器芯片。该器件在诺格先进技术实验室制造,设计则由和桑迪亚国家实验室合作完成。
    该半导体器件在150摄氏度下进行了1000小时动态寿命测试、重离子闩锁和其他测试。抗辐射EEPROM用于长时间存储关键任务数据,而不需要过度的屏蔽重写和气候控制。诺格公司现已开始接受该产品的订货。认证数据包则可通过诺格公司的网站获取。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所  张倩)
 

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