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美国EPC公司推出两款单片集成电路氮化镓晶体管半桥
2015-01-23
    [据功率电子世界网站2015年1月22日报道]美国EPC公司推出EPC2102 60V和EPC2103 80V的增强型单片集成电路氮化镓(GaN)晶体管半桥。
    为满足需要两个对称器件的应用,该器件采用两个同等尺寸的模片制作出单片集成电路半桥增强型氮化镓(eGaN)集成电路。通过将两个eGaN功率场效应管集成到同一个器件之中,消除了电路板上所需要的互连电感和间隙空间。
    EPC公司官员表示,这提高了效率(尤其在高频时)和功率密度,同时也降低了装配成本。
    在典型的降压器应用中,对于EPC2103而言,在500KHz开关频率工作时,如果电流为20A,将电压从48V转换至12V时,系统效率将高于97%。对于EPC2102而言,在500KHz开关频率工作时,如果电流为18A,将电压从42V转换至14V时,系统效率将高于98%。
    除了两款单片半桥外,该公司还推出两个半桥开发板——EPC9028和EPC9039,它们分别包含EPC2102和EPC2103集成半桥组件,以及德州仪器LM5113栅极驱动器和所有必需的供电电容器和旁路电容器。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所 唐旖浓)

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