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欧盟启动5个芯片试生产线建设项目,以提高半导体制造能力
2013-05-31
    [据美国电子时代网站2013年5月29日报道]欧盟宣布将增加4条先进生产线建设计划,包括发光二极管和450mm晶圆等。此前,欧盟宣布建设全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)试生产线。该五条芯片试生产线项目是欧盟于5月23日宣布的“欧洲电子策略”的一部分,共涉及来自20个国家的128个公司,总投资将超过7亿欧元,包括欧盟各成员国和工业界的投资,其中欧盟将出资1亿欧元。五个项目中的大部分从2013年启动运行,持续到2015年底结束。
    五条试生产线项目分别是:
    (1)AGATE试生产线:该项目由法国晶圆制造公司Soitec公司领导,包括10家公司,目标是为功率半导体器件和发光二极管生产低成本的硅基氮化镓(GaN)晶圆,计划于2015年12月结束。
    (2)E450EDL试生产线,该项目由比利时微电子研究中心(IMEC)和荷兰艾司摩尔(ASML)公司领导,包括来自11个国家的43家公司,目标是为450mm晶圆验证设备、材料和前道工艺,计划于2016年9月结束。
    (3)EPPL试生产线:该项目由位于德国和奥地利的英飞凌(Infineon)公司领导,包括31家公司,目标是开发功率器件用薄晶圆,计划于2016年3月结束。
    (4)Lab4MEMS试生产线。主要工业试生产线分别位于ST半导体公司的两个工厂:前道工艺位于意大利的Agrate,后道工艺位于欧洲Malta,由分布在9个国家的研究中心、小企业和研究实验室共同参与支持。该项目于2013年1月启动,计划运行30个月。
    (5)Places2Be试生产线。该项目为期三年,总预算3.6亿欧元(大约4.65亿美元),促进欧洲实现FDSOI制造工艺的工业化。该项目由在FDSOI领域处于领先地位的ST公司领导,并将在ST位于法国克罗尔市的晶圆厂和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)公司位于德国德累斯顿市的第一生产厂内建立试生产线。包括23个研究单位,目标是通过解决产量和应用等挑战,以将该技术带入工业界。
    欧盟副主席尼莉•克罗斯说:“我们没有任何时间可以浪费了,这些计划对实现欧洲电子策略做出了实质性的贡献。到2013年底,我希望看到工业界实现芯片制造量翻倍、生产量达全球产量20%的目标”。
    为此,5月29日克罗斯主持召开了各国家和地区部长会议,欧洲主要半导体制造商和世界知名研究人员也参与其中,共同商讨策略的实施。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所  张倩)

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