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Aeroflex公司推出大容量抗辐射NOR闪存存储器
2011-12-21
[据军事航空电子网站2011年12月20日报道] Aeroflex公司正在推出64M NOR闪存存储器UT8QNF8M8,该存储器为3V抗辐射存储器,存储器芯片结构为8M×8或4M×16,用于卫星及其他太空应用。UT8QNF8M8 NOR闪存存储器是一种非易失性存储器,具有足够大容量容纳一种典型的应用程序或操作系统内核。Aeroflex公司是Aeroflex控股公司(ARX)旗下的一个全资子公司。

UT8QNF8M8 NOR闪存存储器在供电电压为3.3V时进行读写功能,工作温度范围为-55℃~105℃。该存储器的设计旨在3.3V电源电压下能编程到系统中或能够编程到标准可编程只读存贮器编程器中。抗辐射功能使存储器能够抵抗的总辐射剂量为10兆拉德或30兆拉德,这将取决于存储器型号。

Aeroflex公司标准产品经理Anthony Jordan表示,UT8QNF8M8的抗辐射特性已经开发完成,将能抵抗10千拉德(Si)或30千拉德(Si)的辐射剂量,目标是50千拉德(Si)。在SEE测试期间,仅需软复位来恢复存储器功能,不需要重启。UT8QNF8M8采用48引脚扁平封装,将提供标准微电路图纸。

(工业和信息化部电子科学技术情报研究所 冯园园)

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