UT8QNF8M8 NOR闪存存储器在供电电压为3.3V时进行读写功能,工作温度范围为-55℃~105℃。该存储器的设计旨在3.3V电源电压下能编程到系统中或能够编程到标准可编程只读存贮器编程器中。抗辐射功能使存储器能够抵抗的总辐射剂量为10兆拉德或30兆拉德,这将取决于存储器型号。
Aeroflex公司标准产品经理Anthony Jordan表示,UT8QNF8M8的抗辐射特性已经开发完成,将能抵抗10千拉德(Si)或30千拉德(Si)的辐射剂量,目标是50千拉德(Si)。在SEE测试期间,仅需软复位来恢复存储器功能,不需要重启。UT8QNF8M8采用48引脚扁平封装,将提供标准微电路图纸。
(工业和信息化部电子科学技术情报研究所 冯园园)