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美Ziptronix公司的直接焊接互连技术使雷声公司的CMOSIC实现三维集成
2007-04-03
[据军事与航空电子网站2007年3月31日报道]2007年3月31日,位于北卡罗来纳州的Ziptronix三维集成公司的工程师与雷声公司视觉系统公司的工程师合作,演示了Ziptronix的用于多层CMOS集成电路的工艺和直接焊接互连(DBI )技术。他们演示了将0.5微米五层金属CMOS器件与硅PIN检波器器件进行三维集成的兼容性,以用于包括焦平面成像和高性能传感器阵列的高性能成像应用。

Ziptronix的DBI技术在CMOS 器件中实现了高密度的互连,并且没有多余的空间。它支持小于10微米的互连,互连宽度为2微米,定位精度为1微米。对大多数初始器件,DBI互连性达100%;对于器件,有100多万个垂直互连。DBI能以小片到晶片或晶片到晶片的形式实现互连。

雷声的器件是用小片到晶片的形式用8微米的互连间隔来集成的。100%的互连能实现100%像素发挥作用的焦平面。雷声视觉系统公司的经理说,作为开发计划的一部分,它们评估了几种三维集成技术,在成本、制造能力和产量方面,Ziptronix DBI技术是最合适的技术方案。DBI技术使硅和其它技术能以三维形式互连,使所有晶体管之间信号通路密度最大,实现经济、功能有效的高性能混合系统。

DBI是Ziptronix直接焊接技术的一部分。它使用焊接能量,在室温条件下,在芯片之间产生高强度热连接。使用标准的CMP技术,首先暴露每一芯片的金属互连点。当焊接芯片时,焊接高能量自动准确在落在将要连接的暴露金属接触点上,在芯片之间形成有效的低阻电气互连。由于这种焊接不需要外部提供热和压力,定位精度可以保持。

Ziptronix负责研发的副总经理说,对于雷声的计划,我们成功提供了我们的平面DBI技术,实现了多级CMOS工艺三维集成的高密度。使用室温下工作的现有设备而不用提供外部压力,使我们的集成技术优于其它集成技术。(信息产业部电子科学技术情报研究所  崔德勋)

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