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雷声公司氮化镓半导体技术测试达到关键里程碑
2007-01-16

[英国《防务新闻》2007年1月12日报道]    雷声公司综合防务系统(IDS)部开发(IDS)的氮化镓(GaN)半导体电路通过了关键测试里程碑,展现了该技术在军事雷达、通信、电子战和导弹系统中的广泛应用前景。雷声GaN半导体单板电路微波综合电路(MMIC)的运行测试刚刚成功地达到了8000小时,本次测试印证了该公司在国防系统和设备先进半导体材料开发的领先地位。本次测试在特殊的环境下进行,结果显示,如在正常的条件下该电路可以工作8万小时。雷声公司计划在2007年继续延长试验时间。IDS负责工程的副总裁Russell表示,GaN半导体能够提供比目前半导体高十倍的能量。通过先进的热特性,GaN半导体可以提高现役和未来军事产品的性能。GaN技术能够显著扩展部队的战场空间渗透能力,在不增加雷达天线尺寸的情况下提高作用范围、灵敏度和搜索能力。另外,GaN技术还能将雷达天线尺寸减少一半,而搜索强度却提高一倍,这个特性将提高雷达的机动能力并减少采办和全寿命成本。(中国航空信息中心  黄培生)

 

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