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TDI公司展示最新的铟镓氮化物
2006-10-26
【据今日半导体网站2006年10月24日报道】 在2006年日本东京举办的氮化物半导体国际工作会上,国际技术与设备公司(TDI)展示了氢化物气相外延生长的铟镓氮化物(InGaN)。根据材料的组成,由铟镓氮化物构成的设备可以发射可见光谱的各种光。InGaN目前用于生产紫罗兰色、绿色和兰色的LED,未来可用于开发黄色、红色和红外LED.InGaN也将用于激光器二极管、高频/高功率晶体管,以及新型太阳能电池、不同类型的传感器以及工作在数千千兆赫的超高频晶体管中。

TDI公司表示,目前InGaN设备的参数与性格以及未来前景受到了InGaN材料特性的限制,公司将采用新的途径生产低缺陷InGaN晶片和基础材料并改善组成控制以克服这些问题。

TDI公司计划在2007年年初开始生产InGaN晶片样品,于第三季度进行小批量生产。该公司此项工作由美国能源部提供财政支持,是固体照明计划的一部分。(信息产业部电子科学技术情报研究所  乔榕)

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