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RFMD公司开发出400W GaN 高功率放大器
2008-06-19
[据 PRNewswire网站2008年6月18日报道]  RF Micro Devices(RFMD)公司作为全球高性能半导体器件设计和制造领先企业,近日宣布了新开发的400 W高功率放大器(HPA),演示了氮化镓(GaN)过程技术的先进性能。

400W GaN HPA设计用于空中管制雷达、舰载或岸基脉冲调制S波段监视雷达。在雷达应用中,公司的400W GaN HPA的工作频率范围为2.9 to 3.5 GHz,,供电65 V,功率增益为10.5 dB。它放置在一个热效率的陶瓷密封包装中,400W GaN HPAs提供的功率密度要高于硅二极技术。而且,与硅二极比,RFMD的GaN过程技术提供了在更高的输出功率上的更大的带宽,同时保持了50%的转换效益。

RFMD的GaN技术的另一个区别是可靠性。在S波段监视雷达应用中,传统应用的行波管由于可靠性问题导致了野外故障和高昂的更换成本,而HPA具有平均无故障时间的目标为200度结温时1E6小时,因此,RFMD的GaN可提供更高的可靠性,从而降低用户总拥有成本。(信息产业部电子科学技术情报研究所乔  榕)

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