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美国弗吉尼亚大学等联合实现在氮化硅平台上异质集成光电二极管
2020-05-06

[据美国光学学会官方网站202051日报道] 近日,美国弗吉尼亚大学与美国国家标准与技术研究院和瑞士LIGENTEC SA公司合作,在氮化硅波导上异质集成了改进的单行载流子(MUTC)光电二极管(PD)

光子集成电路(PIC)在电信、生物传感、量子信息和微波光子学等领域的应用日益增多。作为绝缘体上硅(SOI)和基于磷化铟(lnP)的光子集成电路的补充,氮化硅(Si3N4)光子平台因具有独特的光学特性而引起了广泛关注。由于氮化硅平台缺乏单片有源器件,所以需要异质集成的三五族器件进行功能完善。

PIN光电二极管相比,改进的单行载流子光电二极管的带宽可达20千兆赫兹。此外,该二极管的暗电流为20 纳安,在1550纳米和1064纳米处的外部响应率分别为0.8/瓦和0.33/瓦,内部响应率分别为0.94/瓦和0.83/瓦。(国家工业信息安全发展研究中心 李茜楠)

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