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英特尔公司研制出基于室温量子效应的后CMOS器件原型
2018-12-06


[据英特尔公司网站2018123日报道]2018123日,《自然》杂志发表了一篇关于下一代逻辑器件的研究论文,研究团队由来自英特尔公司、加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员组成。该论文介绍了一种由英特尔公司发明的磁电式自旋轨道(MESO)逻辑器件。与当今的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件相比,MESO器件的工作电压仅是其五分之一、能耗仅是其十分之一至三十分之一,同时还具有超低待机功耗的特点。英特尔公司在推动CMOS器件持续微细化的同时,一直致力于对应用于未来十年、后CMOS时代的新型逻辑计算器件的研究,以提高计算能量效率,并允许计算性能在不同计算架构上均能实现增长。



英特尔公司资深研究员、技术和制造分部探索性集成电路小组主任Ian Young表示:我们正在寻找后CMOS时代的革命性而非渐进式的计算方法。MESO器件建立在低压互连和低压磁电耦合的基础之上,将量子材料创新与计算结合在一起。我们对进展感到振奋,并期待未来验证其开关电压可进一步降低,以充分发挥其潜力。



英特尔公司的研究人员发明MESO器件,考虑了未来计算对内存、互连和逻辑的需求。该MESO器件是英特尔公司利用具有室温量子效应的量子材料制作的器件原型,采用的是由加州大学伯克利分校的Ramesh实验室和劳伦斯伯克利国家实验室共同开发的磁电材料。MESO器件还利用了法国国家科学研究中心所发现的自旋轨道换能效应。



该论文的第一作者,英特尔公司科技中心主任Sasikanth Manipatruni表示:“MESO器件是一种用室温量子材料构造的新器件,为了新器件的实用化并应用于新架构,仍然需要开发一些关键的材料和技术,但该器件是个可能(取代CMOS器件,进一步延续微细化-译者)的例子,希望能够激发起产业界、学术界和国家实验室进一步创新的热情。(工业和信息化部电子第一研究所  王巍)



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