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Innodisk将下一代NAND闪存技术引入嵌入式工业市场
2018-11-05


[Electroiq网站20181031日报道]3D NAND有望成为主导的NAND闪存技术,并提高性能和容量。Innodisk公司的3D NAND 固态硬盘(SSD)系列旨在满足工业市场对耐用性和耐久性的更严格要求。



该系列采用纯工业级东芝3D TLCTrinary-Level Cell,3bit/cellNAND闪存,P/E循环次数为3000次,确保可靠的使用寿命,并且固件完全采用内部设计,适合工业使用。固态硬盘(SSD)采用直接写入,并避免使用SLCSingle-Level Cell,1bit/cell)缓存,因为SLC缓存最终会导致固态硬盘(SSD)性能下降和P/E周期数膨胀。此外,固件可以在很大程度上进行定制,以满足任何专门的需求



该系列包括两个产品线:DRAM-less 3TE7和使用Marvell控制器的3TG6-P集成DRAM。这些产品线的容量分别为1TB2TB。他们都可以配备在Innodisk公司的三个电源稳定技术iCell™,iPower Guard™ iData Guard™上,进一步加强易受电力波动影响的数据完整性。



3D NAND 固态硬盘(SSD)还使用端到端电源路径保护,确保在与主机和驱动器本身的每个数据传输点进行错误纠正。对于更敏感的数据,利用高级加密标准(AES)加密的驱动器可以与内部设计的软件一起使用,从而更容易部署和管理。(工业和信息化部电子第一研究所  李茜楠)



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