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日本多华公司提供高功率短波红外发光二极管样品
2018-09-07


[据化合物半导体网站2018916日报道]
日本东京多华电子材料有限公司成功开发出短波红外发光二极管芯片,输出功率比现有产品高3.5倍。该公司已开始提供样品。



该器件尺寸350平方微米,在室温下施加100毫安的直流电流,最高输出功率为6.8毫瓦。峰值波长为1300纳米。



基于发光二极管的光学传感器具有小尺寸、低功耗和长寿命等优势。因为波长范围在800nm2000nm之间的近红外和短波长红外光对生物体具有高度渗透性,短波长发光二极管的应用正在农业和食品分析、医药和医疗保健等领域进行。特别是,在医疗保健领域,其市场将迅速扩大,预计基于LED的传感器能够在不抽血的情况下测量血糖水平。



新开发的短波长红外发光二极管芯片可以平衡更高的输出功率和更小的芯片尺寸,这通常是一种权衡,并且显著改善了传感器应用所需的高输出功率。多华公司将这些技术扩展到峰值波长为1450纳米和1650纳米,以扩大产品规模。



在镓基化合物半导体领域,多华公司提供的产品范围包括晶圆、LED芯片和一些灯模块等材料。多华公司还具有灵活适应各种需求的能力,例如定制波长。



多华公司将专注于增强下一代产品的功能和简化生产,以进一步扩大其半导体业务。(工业和信息化部电子第一研究所   许文琪)



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