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美国OSI光电系统公司推出紫外增强型平面扩散式硅光电二极管
2017-12-18

[据军事与航空电子网站20171215日报道] 美国OSI光电系统公司推出紫外增强型平面扩散式硅光电二极管,用于需要抑制近红外光的光电应用。

这些产品设计用于紫外线光谱波段内的低光探测,包含紫外D波段平面扩散型和紫外E波段平面扩散红外抑制器件。

与反向层光电二极管相比,紫外D波段和紫外E波段光电二极管具有较低的电容和较高的响应时间。

OSI光电系统公司推出的紫外D波段光电二极管峰值为970纳米,紫外D波段光电二极管峰值为720纳米,并可抑制近红外光。这两种产品均具有低电容、宽动态范围和高速响应时间。紫外D波段系列和紫外E波段系列可以在光伏(无偏)模式下运行,以适应温度变化较小的情况。

OSI光电系统公司推出的紫外增强型平面扩散式硅光电二极管具有不同的尺寸和规格,可采用金属或陶瓷封装,适用于医疗仪器、污染监测、光谱学、荧光、水净化和紫外线辐射计。(工业和信息化部电子第一研究所   许文琪)

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