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印度科学院获得政府批准建立商业GaN代工厂
2017-07-18
 

[据今日半导体网站2017710日报道]  印度快报表示,印度班加罗尔科学院(IISc)已经获得政府首批政府的许可,成立了一家代工厂,为下一代战略技术(包括雷达和通信系统)生产氮化镓(GaN)。

该研究所在纳西科学与工程研究中心(CeNSESrinivasan Raghavan副教授的领导下,建造一座生产在硅晶片上制造氮化镓晶体管的设备的 铸造厂。

Shivashankar说:“这个建议目前在政府的最高层。它需要约3千亿卢比(4.65亿美元),被视为战略部门投资。”

印度国防研究与开发组织(DRDO)固态物理总监RK Sharma评论说:“GaN技术将大大有助于开发下一代雷达,探测和通信系统,并将在诸如轻型战斗机之类的系统中有用。”

CeNSE工厂于2015年由总理纳伦德拉·莫迪建立,旨在创建跨越材料,设备和系统的GaN电子生态系统。 CeNSEGaN基晶体管已被印度的研究人员采用。创建商业GaN晶圆代工将可以满足GaN技术的行业需求。

GaN半导体技术能够满足我们对高效能源消耗系统需求,例如,作为安全系统的未来无人驾驶车辆,取决于能源效率。”Sharma说。

GaN的应用领域包括用于电子战的相控阵雷达,例如安装在现代战斗机上的主动电子扫描阵列(AESA)雷达。

Raghavan说:“全球电力电子设备市场达360亿美元。随着耗电量的增加,电力电子产品的需求将会上升。因此,开始研究GaN基材料时,需要考虑对更大功率电子市场的潜在影响。我们在IISc中设置的是一个GaN平台,其中许多这些东西可以再此基础上快速发展。”(工业和信息化部电子第一研究所  张慧)

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