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EVG公司为等离子体切片优化抗蚀刻层和光刻工艺
2017-06-22
 

[据固态技术网站2017620日报道] EVG公司为微机电系统、纳米技术和半导体市场提供晶圆键合和光刻设备。620日,EVG公司宣布验证实施等离子切片的优化预处理解决方案,等离子切片可用于先进半导体封装。

通过采用形状高度均匀的抗蚀刻层和窄切割线的光刻图案保护泵浦,EVG的最新产品和工艺开发服务支持新兴半导体后端制造工艺。

通过将EVG系统与第三方干等离子切片系统相结合,用户可以获得完整的解决方案,它将支持高平行度、高通量和无碎屑压模分离,并且避免危害凸点可靠性或者紧凑结构化表面。EVG公司的产品解决了MEMS、功率器件、RFID组件、图像传感器、逻辑和存储器中端(MEOL)工艺和后端(BEOL)工艺的关键预处理要求。

更薄和更小的半导体芯片需要支持最新一代的移动和可穿戴设备,此外,也促进了物联网(IoT)的发展。对分割而言,等离子切片具有很多优点,例如,减少切割街道宽度、提供灵活的芯片布局以及消除侧壁损坏、碎裂和晶圆断裂。然而,等离子体切割也带来了新的预处理要求,包括分割前保护顶部或底部结构、保形涂层、厚抗蚀刻和光刻。

EVG的高质量、低成本抗蚀刻工艺和光刻系统解决了先进等离子切割工艺的所有预处理步骤,包括抗蚀刻涂层、显影以及掩模对准光刻:

  • EVG专有的OmniSpray技术支持在整个晶圆上均匀涂覆高地形表面和凸点——传统旋涂技术有限——晶圆具有足够的厚度,可在等离子体处理过程中充分保护凸点,同时为切割线的光刻图案提供衬底。
  • 掩模对准系统采用旋转涂膜抗蚀刻层优化图案质量,包括深孔和沟槽中优异的焦点深度、外形的高度均匀性、高通量和高分辨率,使其非常适合于曝光并带卡切割线。
  • EVG的高通量开发系统完成了预处理生产线

•所有系统都可以半自动化和全自动化配置,并且与薄膜框工艺完全兼容,使其非常适合先进封装中的压模分离。

EUV企业技术开发和知识产权总监Markus Wimplinger说:“半导体行业越来越多地在较薄衬底上通过垂直堆叠方式驱动器件性能。这种趋势不仅增加了新的晶圆切片技术需求,而且还增加了对诸如涂膜、开发和掩模对准系统等支撑预处理器件的需求。”

我们很高兴在奥地利、美国和日本的演示实验室开展完整的等离子体切割研发和批量生产预处理系统演示。客户可以看到产品的生产和强大的端到端晶圆切割解决方案,能够满足其定制先进封装的需求。

711日至13日,EVG公司将在Moscone会议中心展示用于SEMICON West先进封装的最新光刻和抗蚀刻加工解决方案。(工业和信息化部电子第一研究所   许文琪)

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