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欧盟GaNonCMOS项目将提高功率器件集成密度
2017-03-07
 

[据化合物半导体网站201732日报道]  德国PCB公司ATS已经宣布,该公司是一个新的地平线2020欧盟研究和创新项目成员之一。该项目称为GaNonCMOS,由天主教鲁汶大学(KUL)的Jean-Pierre Locquet协调。

该项目其他成员是Epigan公司,弗劳恩霍费尔研究所,IBM研究院,IHP公司,Tyndall国家研究所,PNO创新,Recom,恩智浦半导体和X-FAB半导体公司。

这项为期四年的项目于20171月推出,旨在通过提供目前最密集的集成材料,使GaN功率电子材料、器件和系统达到更高的成熟度。

这将通过使用从封装级到芯片级的不同集成方案(包括Si111)基GaN晶元与Si100)晶片上CMOS之间的晶片接合)集成GaN功率开关与CMOS驱动器来实现。

该项目旨在使用GaN功率开关和CMOS驱动器以及新的磁芯材料生产多个演示器,从而实现高达200 MHz的开关频率。

根据ATS的说法,结合优化的嵌入式PCB技术,这些开发应能为低成本、高可靠性系统提供新的集成功率元件。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所  张慧)

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