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法国Leti展示了前所未有的具有理想化和创纪录高分辨率LED,可用于微显示器
2017-02-07
 

[据固态技术网站2017113日报道]  法国原子能总署(CEA)旗下的电子信息技术研究所(Leti)宣布已经开发了一种用于制造10微米间距的高分辨率阵列的微LED制造工艺。采用新工艺可实现像素化和873 x 500分辨率,超过现有技术。

蓝色或绿色GaN / InGaN LED阵列使用了Leti的专有自对准技术,可用于微显示应用,例如增强现实或虚拟现实工具和可穿戴设备。该技术是实现如此小像素间距的关键。若干镶嵌金属化步骤组合来产生公阴极,并预期可提供良好的散热,防止微LED阵列内的电压下降。电光测量显示,该微LED的发光效率和亮度记录超过了器件集成的要求。

该研究结果以会议论文的形式发表在201722日于旧金山召开的美国西部光电展上,题目为“Processing and Characterization of High-Resolution GaN / InGaN LED Arrays at 10-Micron Pitch for Micro-Display Applications”。

Leti的自对准过程允许创建像素间距减小为10μm的高分辨率微LED矩阵,并为下一代器件实现更小的间距铺平道路。”该论文的作者之一LudovicDupré说。“此外,与此前演示的微LED矩阵相比,使用Leti新开发的阴极的镶嵌金属化工艺也是一个突破。共阴极实际上填充了微LED之间的整个容积,并且促进LED间电流的金属扩散以及热耗散。这些结果有望通过与CMOS有源矩阵杂交将微LED阵列集成在微显示器件中,并且是目前正在测试的第一个原型器件。”(工业和信息化部电子科学技术情报研究所  张慧)

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