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美国空军授予雷神公司1490万美元的合同,以进一步加强氮化镓(GaN)半导体工艺
2016-10-20
 

[据今日半导体网站20161019日报道]  美国空军研究实验室(AFRL)和国防部长办公室(OSD)授予马萨诸塞州沃尔瑟姆的雷神公司1490万美元的合同,以进一步加强其生产基于氮化镓(GaN)半导体的工艺。新协议遵循先前于2013年完成的GaN合同,旨在提高雷神公司生产GaN基多频宽单片微波集成电路(MMIC)和环行器组件的性能,产量和可靠性。

由于GaN可以在微波频率下有效地放大高功率射频信号(增强系统的射程和干扰处理,同时减小尺寸,重量,功率和成本),因此广泛用于军用雷达和防御系统,包括美国海军的空中和导弹防御雷达(AMDR)和下一代干扰器(NGJ)。

雷神公司集成防御系统(IDS)业务部门的先进技术副总裁Colin Whelan认为:“当利用氮化镓技术可以为军事应用带来改变游戏规则的能力时,我们只是触及表面。雷神公司在发展GaN技术上投资价值2亿美元,历时17年,这个合同将建立在此基础上。”他补充说。“在接下来的两年中,我们将进一步完善我们的GaN工艺,以推动射频性能的极限,同时保持或提高产量和可靠性。”

这项技术的第一次验证将被并入雷神空间和机载系统的下一代干扰计划中,该计划预定在2018年进行小批量试生产。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所 张慧)

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